半导体制造工艺—单晶晶圆制程

单晶硅片基本的加工过程：

切断→外径滚圆→切片→倒角→研磨→腐蚀、清洗→刻蚀→抛光等。

硅片制备

切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率、含氧量。

整形处理

外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。

硅片标识定位

激光刻印

切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。

切片

倒角：指将切割成的晶片锐利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生。

研磨：指通过研磨除去切片和轮磨所造成的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的翘曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。

磨片和倒角

腐蚀、清洗：切片后，硅片表面有机械损伤层，近表面晶体的晶格不完整，而且硅片表面有金属粒子等杂质污染。因此，一般切片后，在制备太阳能电池前，需要对硅片进行化学腐蚀。 在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是腐蚀后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。常见清洗的方式主要是传统的RCA湿式化学清洗技术。

刻蚀

抛光

质量测量

改进要求

平整度

外延层

外延层

外延层结构